مشخصات فناوری ES1JL R3G
مشخصات فنی TSC (Taiwan Semiconductor) - ES1JL R3G ، ویژگی ها ، پارامترها و قطعات با مشخصات مشابه TSC (Taiwan Semiconductor) - ES1JL R3G
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| سازنده | Taiwan Semiconductor | |
| ولتاژ - جلو (VF) (حداکثر) @ اگر | 1.7V @ 1A | |
| ولتاژ - DC معکوس (VR) (حداکثر) | 600V | |
| کننده بسته بندی دستگاه | Sub SMA | |
| سرعت | Fast Recovery = 200mA (Io) | |
| سلسله | - | |
| معکوس بازیابی زمان (TRR) | 35ns | |
| بسته بندی | Tape & Reel (TR) | |
| بسته بندی / مورد | DO-219AB | |
| نامهای دیگر | ES1JL R3GTR ES1JL R3GTR-ND ES1JLR3GTR |
| ویژگی محصول | مقدار مشخصه | |
|---|---|---|
| دمای عملیاتی - تقاطع | -55°C ~ 150°C | |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | |
| رطوبت سطح حساسیت (MSL) | 1 (Unlimited) | |
| تولید کننده استاندارد سرب زمان | 21 Weeks | |
| وضعیت وضعیت سرب / وضعیت RoHS | Lead free / RoHS Compliant | |
| نوع دیود | Standard | |
| توصیف همراه با جزئیات | Diode Standard 600V 1A Surface Mount Sub SMA | |
| کنونی - معکوس نشت @ ورع | 5µA @ 600V | |
| در حال حاضر - میانگین تصحیح (IO) | 1A | |
| خازن @ VR، F | 8pF @ 4V, 1MHz |
سه قسمت در سمت راست مشخصات مشابهی با TSC (Taiwan Semiconductor) ES1JL R3G دارند.
| ویژگی محصول |  |
 |
 |
|
|---|---|---|---|---|
| شماره قطعه | ES1JL R3G | ES1JFL | ES1JAF | ES1JFL |
| سازنده | TSC (Taiwan Semiconductor) | Taiwan Semiconductor Corporation | onsemi | onsemi |
| بسته بندی | Tape & Reel (TR) | - | - | - |
| تولید کننده استاندارد سرب زمان | 21 Weeks | - | - | - |
| بسته بندی / مورد | DO-219AB | SOD-123F | DO-214AD, SMAF | SOD-123F |
| ولتاژ - جلو (VF) (حداکثر) @ اگر | 1.7V @ 1A | 1.7 V @ 1 A | 1.7 V @ 1 A | 1.7 V @ 1 A |
| در حال حاضر - میانگین تصحیح (IO) | 1A | 1A | 1A | 1A |
| سلسله | - | - | - | - |
| نوع دیود | Standard | - | - | - |
| نصب و راه اندازی نوع | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount | Surface Mount |
| توصیف همراه با جزئیات | Diode Standard 600V 1A Surface Mount Sub SMA | - | - | - |
| خازن @ VR، F | 8pF @ 4V, 1MHz | 8pF @ 4V, 1MHz | 15pF @ 4V, 1MHz | 7pF @ 4V, 1MHz |
| کننده بسته بندی دستگاه | Sub SMA | SOD-123F | DO-214AD (SMAF) | SOD-123F |
| ولتاژ - DC معکوس (VR) (حداکثر) | 600V | 600 V | 600 V | 600 V |
| سرعت | Fast Recovery = 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
| نامهای دیگر | ES1JL R3GTR ES1JL R3GTR-ND ES1JLR3GTR |
- | - | - |
| دمای عملیاتی - تقاطع | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C | -55°C ~ 150°C |
| معکوس بازیابی زمان (TRR) | 35ns | 35 ns | 34 ns | 35 ns |
| وضعیت وضعیت سرب / وضعیت RoHS | Lead free / RoHS Compliant | - | - | - |
| رطوبت سطح حساسیت (MSL) | 1 (Unlimited) | - | - | - |
| کنونی - معکوس نشت @ ورع | 5µA @ 600V | 5 µA @ 600 V | 1 µA @ 600 V | 500 nA @ 600 V |
بارگیری داده های ES1JL R3G PDF و مستندات TSC (Taiwan Semiconductor) را برای ES1JL R3G - TSC (Taiwan Semiconductor) بارگیری کنید.
ES1JFLTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 600V 1A SOD123F
ES1JHFPANJITES1JAFonsemiDIODE GEN PURP 600V 1A DO214ADES1JHR2GTaiwan SemiconductorES1JWGPANJITES1J-SMAG-T5MDDES1J_R1PANJITES1JL_RUGTaiwan SemiconductorES1JS T/RPANJITES1JFLonsemiDIODE GEN PURP 600V 1A SOD123F
ES1J_NLFairchild (onsemi)ES1JF R3GTaiwan Semiconductor CorporationDIODE GEN PURP 600V 1A SMA-FLES1JL-40 RUES1JT/R/ES1JTOSHIBA/PANJIT/XXES1J-TRGOOD-ARKES1JT/RPANJITES1JL-04RUTaiwan Semiconductor
ES1J-TPMicro Commercial CoDIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC| مرجع زمان لجستیک کشورهای مشترک | ||
|---|---|---|
| منطقه | کشور | زمان لجستیک (روز) |
| آمریکا | ایالات متحده | 5 |
| برزیل | 7 | |
| اروپا | آلمان | 5 |
| انگلستان | 4 | |
| ایتالیا | 5 | |
| اقیانوسیه | استرالیا | 6 |
| نیوزیلند | 5 | |
| آسیا | هندوستان | 4 |
| ژاپن | 4 | |
| خاورمیانه | اسرائیل | 6 |
| مرجع حمل و نقل DHL و FedEx | |
|---|---|
| هزینه حمل و نقل (کیلوگرم) | مرجع DHL ($ $) |
| 0.00kg-1.00kg | 30.00 دلار - 60 دلار دلار |
| 1.00 کیلوگرم -2.00 کیلوگرم | 40.00 دلار - 80 دلار دلار |
| 2.00 کیلوگرم-3.00 کیلوگرم | 50.00 دلار - 100 دلار دلار |
قیمت بهتری می خواهید؟ به سبد خرید و اضافه کنید RFQ اکنون ، ما بلافاصله با شما تماس خواهیم گرفت.